デュアルNチャネルPower Trench® MOSFET 20V、3.8A、66mΩ

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Overview

このデバイスは、セルラーハンドセットやその他のウルトラポータブルアプリケーションのデュアルスイッチ要件のシングルパッケージソリューションとして特別に設計されています。伝導損失を最小限に抑えるため、オン抵抗が低い2つの独立したNチャネルMOSFETを備えています。MicroFET1.6x1.6の薄型パッケージは、その物理的サイズに対して並外れた熱性能を提供し、スイッチングおよびリニアモードアプリケーションに最適です。

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  • 最大 rDS(on) = 66 mΩ @ VGS = 4.5 V、ID = 3.4 A
  • 最大 rDS(on) = 86 mΩ @ VGS = 2.5 V、ID = 2.9 A
  • 最大 rDS(on) = 113 mΩ @ VGS = 1.8 V、ID = 2.5 A
  • 最大 rDS(on) = 160 mΩ @ VGS = 1.5 V、ID = 2.1 A
  • 低プロファイル 新パッケージMicroFET 1.6x1.6 Thinで、最大0.55mm
  • ハロゲン化合物、アンチモン酸化物フリー
  • HBM ESD保護レベル> 1600V (注3)<強力></強力>
  • RoHS対応

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDME1024NZT

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CAD Model

Pb

A

H

P

UDFN-6

1

260

REEL

5000

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 22

Low-Medium Voltage

Logic

0

Dual

0

20

-

8

1

3.8

1.4

Q1=Q2=86

Q1=Q2=66

20

3

225

-

-

-

-

$0.1996

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