コンプリメンタリーPowerTrench® MOSFET±20V

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Overview

このデバイスは、セルラーハンドセットやその他のモバイルアプリケーションのDC/DC「スイッチング」MOSFET用のシングルパッケージソリューションとして特別に設計されています。伝導損失を最小限に抑えるため、オン抵抗が低い独立したNチャネル&PチャネルMOSFETを備えています。各MOSFETのゲート電荷も最小限に抑えられ、制御デバイスから直接高周波スイッチングが可能です。MicroFET1.6x1.6の薄型パッケージは、その物理的サイズに対して並外れた熱性能を提供し、スイッチングおよびリニアモードアプリケーションに最適です。

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  • Q1: Nチャンネル
  • 最大 RDS(on) = 160 mΩ @ VGS= 1.5 V、ID = 2.1A
    Q2: Pチャンネル
  • 低プロファイル: 新パッケージMicroFET 1.6x1.6 Thinで、最大0.55mm
  • ハロゲン化合物、アンチモン酸化物フリー
  • HBM ESD保護レベル > 1600V (データシートの注3を参照)
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDME1034CZT

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CAD Model

Pb

A

H

P

UDFN-6

1

260

REEL

5000

Y

Complementary

PowerTrench® T1

Power 22

Low-Medium Voltage

Logic

0

Dual

0

±20

-

8

±1

N: 2.8, P: -2.6

1.4

N:86, P: 213

N: 66, P: 142

-

5.5

305

-

-

-

-

$0.1996

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