FDMS10C4D2N

N チャネル・シールド・ゲート PowerTrench® MOSFET 100V、124A、4.2mΩ

Overview

この N チャネル MV MOSFET は、シールド・ゲート技術を組み込んだ高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗を最小限に抑えながら、ベストインクラスのソフトボディ・ダイオードで優れたスイッチング性能を維持するように最適化されています。

アプリケーション

This product is general usage and suitable for many different applications.

特長

シールドゲートMOSFET技術
最大r_DS(on)= 4.2 mΩ ＠ V_GS = 10 V、I_D = 44 A
最大r_DS(on) = 14 mΩ ＠ V_GS = 6 V、I_D = 22 A
ADD
他のMOSFETメーカーより50%低いQrr
スイッチングノイズ/EMIを低減
MSL1堅牢パッケージ設計
UIL 100%テスト済み
RoHS準拠

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMS10C4D2N

Active

PQFN-8

483AE

260

REEL

3000

100

4.2

N-Channel

Single

±20

124

125

2945

$1.2997

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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N チャネル・シールド・ゲート PowerTrench® MOSFET 100V、124A、4.2mΩ

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