Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMS3660S

非対称デュアルNチャネルPowerTrench® Power Stage MOSFET 30V

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Datasheet

製品

Overview

このデバイスには、デュアルPQFNパッケージに2つの特別な NチャネルMOSFETが含まれています。スイッチノードは内部で接続されており、同期バックコンバーターの配置とルーティングを容易にします。制御MOSFET（Q1）および同期SyncFET(Q2）は、最適な電力効率を提供するように設計されています。

  • ノートブックＰＣ

  • Q1: Nチャンネル
  • 最大 rDS(on) = 8 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 13 A
  • 低インダクタンス• パッケージ採用で立ち上がり/立ち下がり時間を削減、その結果、スイッチング損失が減少
  • MOSFETを統合することで最適なレイアウトが可能、 回路インダクタンス及びスイッチノードのリンギングを抑制
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMS3660S

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

483AJ

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 56 (SO-8FL)

Low-Medium Voltage

Logic

0

Dual

0

30

Q1: 8, Q2: 1.8

12

Q1: 2.7, Q2; 2.2

Q1: 13.0, Q2: 30.0

Q1:2.2, Q2: 2.5

-

Q1: 11.0, Q2: 2.2

17

29

4130

-

-

-

-

$0.7783

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMS3660S

Equivalent to wafer fab process: RM,U4

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

RM,U4

0

453805928

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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