非対称デュアルNチャネルPowerTrench® Power Stage MOSFET 30V

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Overview

このデバイスには、デュアルPQFNパッケージに2つの特別な NチャネルMOSFETが含まれています。スイッチノードは内部で接続されており、同期バックコンバーターの配置とルーティングを容易にします。制御MOSFET(Q1)および同期SyncFET(Q2)は、最適な電力効率を提供するように設計されています。

  • ノートブックPC
  • Q1: Nチャンネル
  • 最大 rDS(on) = 8 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 13 A
  • 低インダクタンス• パッケージ採用で立ち上がり/立ち下がり時間を削減、その結果、スイッチング損失が減少
  • MOSFETを統合することで最適なレイアウトが可能、 回路インダクタンス及びスイッチノードのリンギングを抑制
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMS3660S

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

N

30

Q1: 8, Q2: 1.8

N-Channel

Dual

12

Q1: 2.7, Q2; 2.2

Q1: 13.0, Q2: 30.0

Q1:2.2, Q2: 2.5

-

Q1: 11.0, Q2: 2.2

17

29

4130

$0.7783

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