FDMS3672

N チャネル UltraFET Trench® MOSFET 100V、22A、23mΩ

Overview

UltraFET デバイスは、電力変換アプリケーションでベンチマーク効率を実現する特性を組み合わせています。これらのデバイスは、rDS(on) 、低 ESR、低トータルおよびミラーゲート電荷に最適化されており、高周波 DC/DC コンバータに最適です。

アプリケーション

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特長

最大 R_DS(on) = 23mΩ @ _VGS = 10V、I_D = 7.4A
最大R_DS(on)=29mΩ@ V_GS=6V、I_D= 6.6A
通常Q_g=31nC@V_GS=10V
少量のミラー電荷
高周波数で最適化された効率
RoHS対応

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMS3672

Active

DFN-8

506DP

260

REEL

3000

100

N-Channel

Single

±20

2015

$1.1388

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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