N チャネル UltraFET Trench® MOSFET 100V、22A、23mΩ

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Overview

UltraFET デバイスは、電力変換アプリケーションでベンチマーク効率を実現する特性を組み合わせています。これらのデバイスは、rDS(on) 、低 ESR、低トータルおよびミラーゲート電荷に最適化されており、高周波 DC/DC コンバータに最適です。

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  • 最大 RDS(on) = 23mΩ @ VGS = 10V、ID = 7.4A
  • 最大RDS(on)=29mΩ@ VGS=6V、ID= 6.6A
  • 通常Qg=31nC@VGS=10V
  • 少量のミラー電荷
  • 高周波数で最適化された効率
  • RoHS対応

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMS3672

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CAD Model

Pb

A

H

P

DFN-8

1

260

REEL

3000

Y

100

23

N-Channel

Single

±20

4

22

78

-

-

18

31

2015

$1.1388

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