Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMS4435BZ

P チャネル PowerTrench® MOSFET -30V、-18A、20mΩ

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Overview

この P チャネル MOSFET は、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。このデバイスは、ノート PC やポータブル・バッテリパックで一般的な電源管理およびロードスイッチ・アプリケーションに最適です。

  • ノートブックＰＣ

  • 最大 rDS(on) = 20 mΩ @ VGS = -10 V、ID = -9.0 A
  • 最大 rDS(on) = 37 mΩ @ VGS = -4.5 V、ID = -6.5 A
  • バッテリ用の拡張VGSS 範囲 (-25 V)
  • 超低rDS(on)用の高性能トレンチ技術
  • 高い電力および電流処理能力
  • HBM ESD保護レベル> 7 kV 通常 (注 4)
  • 100%のUILがテスト済み
  • 端子は鉛フリーでRoHS対応です。

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMS4435BZ

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

483AE

1

260

REEL

3000

N

P-Channel

PowerTrench® T1

Power 56 (SO-8FL)

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

-25

20

25

-3

-18

39

-

37

-

18

1540

-

-

-

-

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMS4435BZ

Equivalent to wafer fab process: TV

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TV

0

1399545734

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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