Pチャネル PowerTrench® MOSFET -30V、-122A、3.2mΩ

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Overview

FDMS6681Zは、ロードスイッチアプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。シリコン技術およびパッケージ技術の両方の進歩が組み合わされ、最低のrDS(on)およびESD保護を実現しています。

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  • Industrial, Consumer, and High End Computing
  • 最大 rDS(on) = 3.2 mΩ @ VGS = -10 V、ID = -21.1 A
  • 最大 rDS(on) = 5.0 mΩ @ VGS = -4.5 V、ID = -15.7 A
  • 低いrDS(on) と高効率のための高度なパッケージとシリコンの組み合わせ
  • HBM ESD保護レベル、8kV通常(注3)
  • MSL1堅牢パッケージ設計
  • RoHS対応

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMS6681Z

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A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

N

-30

3.2

P-Channel

Single

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-3

-122

73

-

5

39

97

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