N チャネル・デュアル CoolTM 56 シールド・ゲート PowerTrench® MOSFET 150V、40A、17mΩ

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Overview

この N チャネル MOSFET は、シールド・ゲート技術を組み込んだ高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。シリコン技術および Dual Cool™ パッケージ技術の両方の進歩が組み合わされ、最小の rD(on) を実現しながら、接合部から周囲への熱抵抗を極めて低く抑えることで卓越したスイッチング性能を維持します。

  • 発電と配電

  • シールドゲートMOSFET技術
  • Dual Cool トップ側冷却PQFNパッケージ
  • 最大 rDS(on) = 17 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 9.3 A
  • 最大 rDS(on) = 25 mΩ @ VGS = 6 V、ID = 7.8 A
  • 超低rDS(on)の高パフォーマンス技術
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS準拠

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMS86200DC

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CAD Model

Pb

A

H

P

DFN-8

1

260

REEL

3000

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 56 Dual Cool

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

150

17

±20

4

40

125

-

-

-

19

2110

5.6

126

205

8.1

$1.8885

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