Nチャネルシールドゲート PowerTrench® MOSFET 120V、64A、7.2mΩ

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Overview

このNチャネル MOSFETは、シールドゲート技術を組み込んだ高度なPowerTrench®プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗向けに最適化され、同様に優れたスイッチング性能を維持します。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • MSL1堅牢パッケージ設計
    UIL 100%テスト済み
    RoHS対応
  • Max rDS(on)= 7.2 mΩ at VGS = 10 V, ID= 13.5 A
  • Max rDS(on)= 10.3 mΩ at VGS = 6 V, ID= 11.5 A
  • Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
  • MSL1 robust package design
  • 100% UIL tested
  • RoHS Compliant

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMS86202

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

120

7.2

N-Channel

Single

±20

4

64

156

-

-

-

29

3195

$1.7663

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