FDMS86202: Nチャネルシールドゲート PowerTrench® MOSFET 120V、64A、7.2mΩ

Datasheet: FDMS86202 120V N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET
Rev. A (389kB)
製品概要
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製品変更通知
このNチャネル MOSFETは、シールドゲート技術を組み込んだ高度なPowerTrench®プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗向けに最適化され、同様に優れたスイッチング性能を維持します。
特長
 
  • MSL1堅牢パッケージ設計
    UIL 100%テスト済み
    RoHS対応
  • Max rDS(on)= 7.2 mΩ at VGS = 10 V, ID= 13.5 A
  • Max rDS(on)= 10.3 mΩ at VGS = 6 V, ID= 11.5 A
  • Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
  • MSL1 robust package design
  • 100% UIL tested
  • RoHS Compliant
アプリケーション
  • This product is general usage and suitable for many different applications.
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FDMS86202 Active
Pb-free
Halide free
FDMS86202 PQFN-8 483AG 1 260 Tape and Reel 3000 $1.219
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDMS86202  
 $1.219 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
120
±20
4
64
156
-
-
7.2
-
29
3195
PQFN-8
Case Outline
483AG   
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