N チャネル Power Trench® MOSFET 100V、16.5A、56mΩ

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Overview

この N チャネル MOSFET は、rDS(on)、スイッチング性能、堅牢性のために最適化された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。

  • DC-DC商用パワーサプライ
  • 最大 rDS(on) = 56 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 4.8 A
  • 最大 rDS(on) = 88 mΩ @ VGS = 6 V、ID = 3.9 A
  • 超低rDS(on)用の高性能トレンチ技術。
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
  • UIL 100%テスト済み
  • 端子は鉛フリーでRoHS対応です。

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMS8622

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

100

56

N-Channel

Single

±20

4

16.5

31

-

-

10

2.8

301

$0.4478

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