FDMS86255: N チャネル・シールド・ゲート PowerTrench® MOSFET 150V、45A、12.4mΩ

Datasheet: MOSFET – N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench®
Rev. 0 (328kB)
製品概要
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この N チャネル MOSFET は、シールド・ゲート技術を組み込んだ高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗向けに最適化され、同様に優れたスイッチング性能を維持します。
特長
 
  • シールドゲートMOSFET技術
  • 最大rDS(on) = 12.4 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 10 A
  • 最大 rDS(on) = 15.5 mΩ @ VGS = 6 V, ID = 8 A
  • 低 rDS(オン) と高効率のための高度なパッケージとシリコンの組み合わせ
  • ソフトリカバリー用に設計された、次世代の強化型ボディーダイオード技術
  • • MSL1堅牢パッケージ設計
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS 対応
アプリケーション
  • This product is general usage and suitable for many different applications
Availability & Samples
Specifications
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FDMS86255 Active
Pb-free
Halide free
FDMS86255 PQFN-8 483AG 1 260 Tape and Reel 3000 $1.299
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FDMS86255  
 $1.299 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
150
±20
4
45
113
-
-
12.4
-
29
3200
PQFN-8
Case Outline
483AG   
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