N チャネル・シールド・ゲート PowerTrench® MOSFET 150V、45A、12.4mΩ

Overview

この N チャネル MOSFET は、シールド・ゲート技術を組み込んだ高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン抵抗向けに最適化され、同様に優れたスイッチング性能を維持します。

  • This product is general usage and suitable for many different applications

  • シールドゲートMOSFET技術
  • 最大rDS(on) = 12.4 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 10 A
  • 最大 rDS(on) = 15.5 mΩ @ VGS = 6 V, ID = 8 A
  • 低 rDS(オン) と高効率のための高度なパッケージとシリコンの組み合わせ
  • ソフトリカバリー用に設計された、次世代の強化型ボディーダイオード技術
  • • MSL1堅牢パッケージ設計
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS 対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMS86255

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 56 (SO-8FL)

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

150

12.4

±20

4

45

113

-

-

-

29

3200

8.8

165

291

11

$1.7926

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