Low/Medium Voltage MOSFETs | FDMS86310

N チャネル PowerTrench® MOSFET 80V、50A、4.8mΩ

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Datasheet

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Overview

この N チャネル MOSFET は、同期または従来のスイッチング PWM コントローラを使用して、DC/DC コンバータの全体的な効率を改善し、スイッチ・ノードのリンギングを最小限に抑えるために特別に設計されています。低ゲート電荷、低 RDS (ON)、高速スイッチング速度およびボディ・ダイオードの逆回復性能向けに最適化されています。

  • DC-DC商用パワーサプライ

  • 最大 rDS(on) = 4.8 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 17 A
  • 最大 rDS(on) = 6.7 mΩ @ VGS = 8 V、ID = 14 A
  • 低いrDS(on) と高効率のための高度なパッケージとシリコンの組み合わせ
  • 次世代強化ボディーダイオード技術、ソフトリカバリ用に設計。
  • MSL1堅牢パッケージ設計
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMS86310

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

483AE

1

260

REEL

3000

Y

N-Channel

PowerTrench® T6

Power 56 (SO-8FL)

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

80

4.8

±20

4.5

50

96

-

-

-

55

4730

14

87

693

19

$0.9718

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDMS86310

Equivalent to wafer fab process: T9

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

T9

0

1733101746

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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