FDMS86500DC

N-チャネル Dual CoolTM 56 Power Trench® MOSFET 60V、108A、2.3mΩ

Overview

このNチャネルMOSFETは、高度な PowerTrench® プロセスを用いて製造されています。シリコン技術およびDual Cool™パッケージ技術の両方の進歩が組み合わされ、最低のrDS（on）を実現しながら、接合部から周囲への熱抵抗を極めて低く抑えることで卓越したスイッチング性能を維持します。

アプリケーション

AC-DC商用パワーサプライ
Synchronous Rectifier for DC/DC Converters
Telecom Secondary Side Rectification
High End Server/Workstation Vcore Low Side

特長

Dual Cool™ Top Side Cooling PQFN package
Max r_DS(on) = 2.3 mΩ at V_GS(on) = 10 V, I_D = 29 A
Max r_DS(on) = 3.3 mΩ at V_GS(on) = 8 V, I_D = 24 A
High performance technology for extremely low r_DS(on)
100% UIL Tested
RoHS Compliant

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMS86500DC

Active

DFN-8

506EG

260

REEL

3000

2.3

N-Channel

Single

±20

4.5

108

125

5775

$1.4964

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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N-チャネル Dual CoolTM 56 Power Trench® MOSFET 60V、108A、2.3mΩ

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