N チャネル PowerTrench® MOSFET 60V、22A、8.2mΩ

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Overview

この N チャネル MOSFET は、同期または従来のスイッチング PWM コントローラーを使用して、DC/DC コンバーターの全体的な効率を改善し、スイッチノードのリンギングを最小限に抑えるために特別に設計されています。低ゲート電荷、低 RDS(ON)、高速スイッチング速度およびボディ・ダイオードの逆回復性能向けに最適化されています。

  • DC-DC商用パワーサプライ
  • Primary Switch in insolated DC-DC
  • Synchronous Rectifier
  • Load Switch

  • 最大 rDS(on) = 8.2 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 13.5 A
  • 最大rDS(on) = 11.7 mΩ@ VGS = 4.5 V、 ID = 11.5 A
  • 低rDS(on) と高効率のための高度なパッケージとシリコンの組み合わせ
  • MSL1の堅牢なパッケージ設計
  • 100%のUILがテスト済み
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMS86520L

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

N-Channel

PowerTrench® T6

Power 56 (SO-8FL)

Low-Medium Voltage

Logic

0

Single

0

60

8.2

±20

3

22

69

-

11.7

-

21

3470

4.7

37

625

25

$0.7728

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