NチャネルDual CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET 80V、254A、1.35mΩ

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Overview

このNチャネルMOSFETは、高度な PowerTrench® プロセスを用いて製造されています。シリコン技術およびDual Cool TMパッケージ技術の両方の進歩が組み合わされ、最低のrDS(on)を実現しながら、接合部から周囲への熱抵抗を極めて低く抑えることで卓越したスイッチング性能を維持します。

  • Oring FET / Load Switch
  • Synchronous Rectification
  • DC-DC Conversion

  • 最大 rDS(on) = 1.35 mΩ @ VGS = 10 V、ID = 36 A
  • 最大 rDS(on) = 1.82 mΩ @ VGS = 8 V、ID = 31 A
  • 低 rDS(on) と高効率のための高度なパッケージとシリコンの組み合わせ
  • ソフトリカバリー用に設計された、次世代の強化型ボディーダイオード技術
  • 薄型 8x8mm MLP パッケージ
  • • MSL1堅牢パッケージ設計
  • UIL 100%テスト済み
  • RoHS 対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDMT80080DC

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

N-Channel

PowerTrench® T6

Power 88 Dual Cool

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

80

1.35

±20

4

254

156

-

-

-

159

14800

36

88

2080

56

$2.1425

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