Small Signal MOSFETs | FDN352AP

シングルPチャネル PowerTrench® MOSFET -30V、-1.3A、180mΩ

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Overview

このPチャネル Logic Level MOSFETは、優れたスイッチング性能のために低デート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なPowerTrenchプロセスを使用して製造されます。これらのデバイスは、非常に小さな外形の表面実装パッケージでインライン電力損失の低減が必要な低電圧およびバッテリー駆動アプリケーションに適しています。

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  • Notebook computer power management

  • -1.3A、-30V
  • RDS(ON)=180mΩ@VGS=-10V
  • -1.1A、-30V
  • RDS(ON)=300mΩ@VGS=-4.5V
  • 特に低いRDS(ON)に対する高性能トレンチ技術
  • 業界標準SOT-23パッケージの高電力バージョン。 30％高い電力処理能力を持つSOT-23と同等のピン配列

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDN352AP

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23-3

527AG

1

260

REEL

3000

N

P-Channel

PowerTrench® T1

SOT-23

Small Signal

Logic

0

Single

0

-30

180

25

-2.5

-1.3

0.5

-

300

-

1.4

150

-

-

-

-

$0.1323

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信頼性データ

Die Related Summary Data

Device: FDN352AP

Equivalent to wafer fab process: TT

製品技術

製品技術

等価デバイス時間

MTBF/MTTF (時間)

FITS

TT

6

2104831460

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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