FDP20N50F

パワー MOSFET、N チャネル、UniFETTM、FRFET®、500 V、20 A、260 mΩ、TO-220

Overview

UniFETTM MOSFET は、プレーナ・ストライプおよび DMOS 技術をベースとした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。UniFETFRFET®MOSFET のボディ・ダイオードの逆回復性能は、ライフタイム制御によって強化されています。trr は 100nsec 未満で、逆の dv / dt 耐量は 15V / ns ですが、通常のプレーナ MOSFET はそれぞれ 200nsec および 4.5V / nsec を超えています。そのため、追加のコンポーネントを削除することができ、MOSFET のボディ・ダイオードの性能が重要な特定のアプリケーションでシステムの信頼性を向上させることができます。このデバイス・ファミリは、力率改善 (PFC)、フラットパネル・ディスプレイ (FPD) TV 電源、ATX、電子ランプ・バラストなどのスイッチング電源コンバータ・アプリケーションに適しています。

アプリケーション

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LCD / LED / PDP TV
Lighting
Uninterruptible Power Supplies
AC-DC Power Supplies

特長

R_DS(on) = 210mΩ (通常)@ V_GS = 10V、 I_D = 10A
少量のゲート電荷 (通常 50nC)
低C_rss (通常 27pF)
100%電子なだれテスト済み
改良されたdv/dt能力
RoHS対応

材料組成

製品変更通知

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDP20N50F

Active

TO-220-3

340AT

TUBE

1000

500

260

N-Channel

Single

±30

250

2550

$1.4916

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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