パワー MOSFET、N チャネル、UniFETTM II、500 V、22 A、220 mΩ、TO-220

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Overview

UniFETTM II MOSFET は、プレーナ・ストライプおよび DMOS 技術をベースとした高電圧 MOSFET ファミリです。この高度な MOSFET ファミリは、プレーナ MOSFET の中で最小のオン抵抗を備え、優れたスイッチング性能と高いアバランシェ・エネルギー強度も提供します。さらに、内部のゲート・ソース間の ESD ダイオードにより、UniFET II MOSFET は 2kV 以上の HBM サージ電圧に対応することができます。このデバイス・ファミリは、力率改善 (PFC) 、フラット・パネル・ディスプレイ (FPD) TV電源、ATX、電子ランプ・バラストなどのスイッチング電源コンバータ・アプリケーションに適しています。

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  • PDP TV
  • Lighting
  • Uninterruptible Power Supplies
  • AC-DC Power Supplies

  • RDS(on) = 185mΩ ( 通常)@ VGS = 10V、ID = 11A
  • 少量のゲート電荷 (通常 49nC)
  • 低Crss (通常 24pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 改良されたdv/dt能力
  • RoHS対応

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDP22N50N

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

1000

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

High Voltage

Standard

0

Single

0

500

220

±30

5

22

312.5

-

-

-

49

2456

19

6500

351

24

$1.5823

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