FDS2672

Nチャネル UltraFET Trench® MOSFET 200V、3.9A、70mΩ

Overview

このNチャネルMOSFETは、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なUItraFET Trench®プロセスを使用して製造されます。

アプリケーション

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DC-DC Conversion

特長

最大 r_DS(on) = 70mΩ @ V_GS = 10V、I_D = 3.9A
最大 r_DS(on) = 80mΩ @ V_GS = 6V、I_D = 3.5A
高速スイッチング速度
超低r_DS(on)用の高性能トレンチ技術
RoHS対応

材料組成

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDS2672

Active

SOIC-8

751EB

260

REEL

2500

200

N-Channel

Single

±20

3.9

2.5

1905

$0.8382

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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