FDS4435BZ

PチャネルPowerTrench® MOSFET、-30V、-8.8A、20mΩ

Overview

このPチャネルMOSFETは、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なPower Trench®プロセスを使用して製造されます。このデバイスは、ノートPCやポータブルバッテリーパックで一般的な電源管理およびrロードスイッチアプリケーションに最適です。

アプリケーション

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特長

最大 r_DS(on) = 20mΩ @ V_GS = –10V、I_D = –8.8A
最大 r_DS(on) = 35mΩ @ V_GS = –4.5V、I_D = –6.7A
バッテリ用の拡張V_GSS範囲 (-25V)
±3.8KV通常のHBM ESD保護レベル（注 3）
超低r_DS(on)用の高性能トレンチ技術
高い電力および電流処理能力
終端は、鉛フリーそしてRoHS対応

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDS4435BZ

Active

SOIC-8

751EB

260

REEL

2500

-30

P-Channel

Single

-3

-8.8

2.5

1385

$0.2405

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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