シングル P チャネル・ロジックレベル PowerTrench™ MOSFET -30V、-11A、14mΩ

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Overview

この P チャネル・ロジックレベル MOSFET は、優れたスイッチング性能のために低ゲート電荷を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench プロセスを使用して製造されています。これらのデバイスは、ロードスイッチ、電源管理、バッテリー充電回路、DC / DC 変換などのノート PC アプリケーションに最適です。

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  • -11 A、-30 V. RDS(ON) = 0.014 W @ VGS = -10 V、RDS(ON) = 0.020 W @ VGS = -4.5 V.
  • 少量のゲート電荷 (30nC 通常)。
  • 超低RDS(ON)用の高性能トレンチ技術
  • 高い電力および電流処理能力

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDS6675

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

-30

7.8

P-Channel

Single

20

-3

-11

2.5

-

12

25

30

3000

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