FDS6681Z

30V Pチャネル PowerTrench® MOSFET -20V、4.6mΩ

Overview

このPチャネルMOSFETは、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なPowerTrench®プロセスを使用して製造されています。このデバイスは、ノートPCやポータブルバッテリーパックで一般的な電源管理およびロードスイッチアプリケーションに最適です。

アプリケーション

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特長

• -20 A, -30V。
R_DS(ON) = 4.6 mΩ @ V_GS = -10V
R_DS(ON) = 6.5 mΩ @ V_GS = -4.5V• バッテリ用の拡張V_GSS範囲 (-25V)• HBM ESD保護レベル 8kV 通常(注 3)• 超低r_DS(ON)用の高性能トレンチ技術• 高い電力および電流処理能力• 端子は鉛フリーでRoHS対応です。
Extended V_GSS range (–25V) for battery applications
HBM ESD protection level of 8kV typical (note 3)
High performance trench technology for extremely low R_DS(ON)
High power and current handling capability
Termination is Lead-free and RoHS Compliant

材料組成

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDS6681Z

Active

SOIC-8

751EB

260

REEL

2500

-30

4.6

P-Channel

Single

-3

-20

2.5

6.5

105

7540

$0.9418

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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