FDS6898A

デュアルNチャネル Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 20V、9.4A、14mΩ

Overview

これらのNチャネル Logic Level MOSFETは、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なPowerTrenchプロセスを使用して製造されます。これらのデバイスは、インライン型の低い電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧およびバッテリー駆動アプリケーションに最適です。

アプリケーション

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特長

9.4 A、20 V
R_DS(ON) = 14 mΩ @ V_GS = 4.5 V
R_DS(ON) = 18 mΩ @ V_GS = 2.5 V
少量のゲート電荷 (16 nC 通常)
超低r_DS(ON) 用の高性能トレンチ技術
高い電力および電流処理能力

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDS6898A

Active

SOIC-8

751EB

260

REEL

2500

N-Channel

Dual

1.5

9.4

Q1=Q2=18

Q1=Q2=14

1821

$0.4219

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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