MOSFETs | FDS6898AZ_F085

20V、9.4A、10mΩ、SO-8、ロジックレベル
デュアルNチャンネルPowerTrench®

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Datasheet
CAD Model

CAD Model

Overview

これらのNチャンネルロジックレベルMOSFETは、オン状態の抵抗を最小化し、優れたスイッチング性能のためにゲート電荷を低く抑えるように設計された、フェアチャイルドセミコンダクターの高度なPowerTrenchプロセスを使用して製造されます。これらのデバイスは低インライン電源損失および高速スイッチングが必要な低電圧およびバッテリー駆動用途に適しています。

  • インフォテインメント
  • ポータブルナビゲーション
  • インフォテインメント
  • その他
  • パワートレイン
  • 安全と管理
  • 快適性と利便性
  • ボディエレクトロニクス
  • 車両安全システム
  • その他のオートモーティブ
  • 9.4 A、20 V、RDS(ON) = 14mΩ、@VGS = 4.5V
  • 少量のゲート電荷 (16 nC 通常)
  • ESD保護ダイオード(注3)
  • 非常に小さいRDS(ON)を実現する高性能なトレンチ技術
  • 高電力および電流処理能力
  • AEC Q101認定
  • RoHS対応

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDS6898AZ-F085

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

N

20

-

N-Channel

Dual

12

1.5

9.4

2

Q1=Q2=18

Q1=Q2=14

9

16

1821

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