デュアル N チャネル・ロジックレベル PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 30V、6A、28mΩ

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Overview

これらの N チャネル・ロジックレベル MOSFET は、同期または従来のスイッチング PWM コントローラを使用して、DC/DC コンバータの全体的な効率を改善するために特別に設計されています。これらの MOSFET は、同等の RDS(ON) 仕様を持つ他の MOSFET よりも高速なスイッチングおよび低ゲート電荷を特長としています。その結果、(非常に高い周波数でも) 駆動が容易で安全な MOSFET と、全体的な効率が向上した DC/DC 電源設計を実現します。

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  • 6 A、 30 V. RDS(ON) = 0.028 . @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.042 . @ VGS = 4.5 V.
  • PWMコントローラーによるDC/DCコンバーターのスイッチングでの使用に最適化
  • 超高速スイッチング
  • 少量のゲート電荷

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDS6912

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

30

Q1=Q2=28

N-Channel

Dual

25

3

6

2

-

Q1=Q2=42

5

7

740

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