デュアル N & P チャネル PowerTrench® MOSFET 30V

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Overview

これらのデュアル N&P チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、オン抵抗を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように特別に構成された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。電力損失と高速スイッチングが必要です。これらのデバイスは、低インライン電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧およびバッテリー駆動アプリケーションに最適です。

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  • Inverter
  • Synchronous Buck
  • Q1: Nチャンネル
  • 最大 RDS(on) = 17mΩ @ VGS = 10V、ID = 8.6A
  • 最大 RDS(on) = 20mΩ @ VGS = 4.5V、ID = 7.3AQ2: Pチャンネル
  • 最大 RDS(on) = 20.5mΩ @ VGS = -10V、ID = -7.3A

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDS8858CZ

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

±30

N: 1.0, P:20.5

Complementary

Dual

25

±3

N: 8.6, P: -7.3

2

-

N: 20.0, P:34.5

15

33

1675

$0.3709

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