FDS8882

N チャネル PowerTrench® MOSFET 30V、9A、20.0mΩ

Overview

FDS8882 は電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるように設計されています。シリコン技術およびパッケージ技術の両方の進歩が組み合わされ、最低の rDS(on) を実現しながら、卓越したスイッチング性能を維持します。

アプリケーション

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Notebook System Regulators
DC/DC Converters

特長

最大 r_DS(on)= 20.0 mΩ @ V_GS = 10 V、I_D = 9 A
最大 r_DS(on) = 22.5 mΩ @ V_GS = 4.5 V、I_D = 8 A
超低R_DS(on)および高速スイッチング用の高性能トレンチ技術
高い電力および電流処理能力
端子は鉛フリーでRoHS対応です。

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDS8882

Obsolete

SOIC-8

751EB

260

REEL

2500

N-Channel

Single

2.5

22.5

707

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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