デュアル N チャネル・シールドゲート PowerTrench® MOSFET 100 V、2.7A、105mΩ

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Overview

この N チャネル・ロジックレベル MOSFET は、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されます。ESD 電圧レベルを高めるために G-S ツェナーを追加しています。

  • 家電製品
  • DC-DC Conversion
  • シールドゲートMOSFET技術
  • 最大RDS(オン)= 105 mΩ@ VGS = 10 V、 ID = 2.7 A
  • 最大RDS(オン)= 160 mΩ@ VGS = 4.5 V、 ID = 2.1 A
  • 超低RDS(オン)
    向けの高パフォーマンストレンチ技術
  • 広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
  • CDM ESD保護レベル>2 KV通常(注 4)
  • 100% UILテスト済み
  • RoHS準拠

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDS89161LZ

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

Y

100

Q1:105.0, Q2: 105.0

N-Channel

Dual

±20

2.2

2.7

2

-

Q1:160.0, Q2: 160.0

-

2.1

227

$0.5026

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