デュアル N チャネル・ロジックレベル PowerTrench® MOSFET 40V、6A、29mΩ

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Overview

これらのデュアル N チャネル・ロジックレベル MOSFET は、オン抵抗を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように特別に構成された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。 これらのデバイスは、低インライン電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧およびバッテリ駆動アプリケーションに最適です。

  • インフォテインメント
  • ポータブルナビゲーション
  • その他
  • パワートレイン
  • 安全と管理
  • 快適性と利便性
  • ボディエレクトロニクス
  • 車両安全システム
  • その他のオートモーティブ
  • Inverter
  • Power Supplies
  • 最大 rDS(ON) = 29mΩ、@VGS = 10V
  • 最大 rDS(ON) = 36mΩ、@VGS = 4.5V
  • 少量のゲート電荷
  • 超低rDS(ON)用の高性能トレンチ技術
  • 高電力および電流処理能力
  • AEC Q101認定
  • RoHS対応

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDS8949-F085

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

40

Q1=Q2=29

N-Channel

Dual

±20

3

6

2

-

Q1=Q2=36

-

7.7

715

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