30V、7.0A、19mΩ、SO-8、ロジックレベル
デュアルNチャンネルPowerTrench®

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Overview

このNチャンネルMOSFET は、同期または従来のスイッチングPWMコントローラーのいずれかを使用して、DC/DCコンバーターの全体的な効率を改善するように特に設計されています。 少量のゲート電荷、低RDS(on)、高速スイッチングスピードのために最適化されています。

  • インフォテインメント
  • ポータブルナビゲーション
  • その他
  • パワートレイン
  • 安全と管理
  • 快適性と利便性
  • ボディエレクトロニクス
  • 車両安全システム
  • その他のオートモーティブ
  • 最大 rDS(ON) = 23mΩ、 VGS = 10V、ID = 7A
  • 最大 rDS(ON) = 30mΩ, VGS = 4.5V、ID = 6A
  • 少量のゲート電荷
  • 100% RGテスト済み
  • AEC Q101認定
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDS8984-F085

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

N

30

Q1=Q2=23

N-Channel

Dual

20

2.5

7

1.6

-

Q1=Q2=30

6

9.2

475

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