N チャネル PowerTrench® MOSFET 100V、5.6A、160mΩ

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Overview

この N チャネル MOSFET は、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように構成された高度な PowerTrench® プロセスを使用して製造されています。

  • LED TV
  • 家電製品
  • Synchronous Rectification
  • Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverters
  • RDS(on) = 121 mΩ (通常)@ VGS = 10 V、 ID = 2.8 A
  • RDS(on) = 156 mΩ (通常)@ VGS = 5 V、 ID = 1.8 A
  • 高速スイッチング速度
  • 少量のゲート電荷 (通常.2.9nC)
  • 超低RDS(on)用の高性能トレンチ技術
  • 高電力および電流処理能力
  • RoHS対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDT1600N10ALZ

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

1

260

REEL

4000

Y

100

160

N-Channel

Single

±20

2.8

5.6

10.42

-

-

-

2.9

169

$0.2307

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