FDT3612

100V Nチャネル Power Trench® MOSFET 3.7A、120mΩ

Overview

このNチャネルMOSFETは、同期または従来のスイッチングPWMコントローラーを使用して、DC/DCコンバーターの全体的な効率を改善するために特別に設計されています。これらのMOSFETは、同等のRDS（ON）仕様を持つ他のMOSFETよりも高速なスイッチングおよび低ゲート電荷を特長としています。その結果、（非常に高い周波数でも）駆動が容易で安全なMOSFETと、全体的な効率が向上したDC / DC電源設計を実現します。

アプリケーション

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DC/DC Converters
Motor Drives

特長

3.7 A、100 V
R_DS(on) = 120 mΩ@ V_GS = 10 V
R_DS(on) = 130 mΩ @ V_GS = 6 V
高速スイッチング速度
少量のゲート電荷(通常14nC)
超低r_DS(ON) 用の高性能トレンチ技術
広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能

材料組成

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDT3612

Active

SOT-223-4 / TO-261-4

318H-01

260

REEL

4000

100

120

N-Channel

Single

±20

3.7

632

$0.2443

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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