FDT86106LZ

NチャネルPowerTrench® MOSFET 100V、3.2A、108mΩ

Overview

このNチャネルLogic Level MOSFETは、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を最小限に抑えるように特別に構成された高度なPower Trench®プロセスを使用して製造されます。ESD電圧レベルを高めるためにG-Sツェナーを追加しています。

アプリケーション

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DC-DC Conversion

特長

最大 r_DS(on) = 108 mΩ @ V_GS = 10 V、I_D = 3.2 A
最大 r_DS(on) = 153 mΩ @ V_GS = 4.5 V、I_D = 2.7 A
超低r_DS(on)用の高性能トレンチ技術
広く使われている表面実装パッケージ中の高電力および電流の処理機能
HBM ESD保護レベル> 3 KV 通常 (注 4)
100%のUILがテスト済み
RoHS対応

材料組成

製品変更通知

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDT86106LZ

Active

SOT-223-4 / TO-261-4

318H-01

260

REEL

4000

100

108

N-Channel

Single

±20

2.2

3.2

2.2

153

2.4

234

$0.4692

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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