FDV301N

Nチャネル Digital FET 25V、0.22A、4Ω

Overview

このNチャネルLogic Level拡張モード電界効果トランジスタは独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特にオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、デジタルトランジスタの代替として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。バイアスレジスタは必要ないため、この1つのNチャネルFETが、各種バイアスレジスタ値のいくつもの異なるデジタルトランジスタに取って代わることができます。

アプリケーション

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特長

• 25V、0.22A連続、0.5A波高値。
RDS(ON)=5Ω@VGS=2.7V
RDS(ON)=4Ω@VGS=4.5V
• 非常に低いレベルのゲートドライブ要件により、3V回路での操作が可能です。 V_GS(th)<1.06V
• ESD耐久性のためのゲートソースツェナー
Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. V_GS(th) < 1.06
Gate-Source Zener for ESD ruggedness.
>6kV Human Body Model
Replace multiple NPN digital transistors with one DMOSFET

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDV301N

Active

SOT-23 (TO-236)

318

260

REEL

3000

N-Channel

Single

1.06

0.22

0.35

5000

4000

1.64

0.49

9.5

$0.0328

FDV301N-F169

Last Shipments

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318

260

REEL

3000

N-Channel

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1.06

0.22

0.35

5000

9.5

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