FDV304P

Pチャネル Digital FET -25V、-0.46A、1.1Ω

Overview

このPチャネル拡張モード電界効果トランジスタは独自の高セル密度のDMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、特に低ゲート駆動j条件でオン抵抗を最小化するよう構成されています。このデバイスは、特にノートPCや携帯電話などのバッテリー電源アプリケーションでの用途向けに設計されています。このデバイスは、2.5ボルトという低いゲート駆動電圧でも優れたオン抵抗を発揮します。

アプリケーション

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特長

-25 V、-0.46 A連続、-1.5 Aピーク。 RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS = -4.5 V、RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。
非常に低いレベルのゲートドライブ要件によって、3V回路で直接操作が可能。 VGS(th) <1.5V。
ESD堅牢性のためのゲートソースツェナー >6kV 人体モデル
コンパクトな業界標準SOT-23表面実装型パッケージ

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

Channel Polarity

Configuration

V_(BR)DSS Min (V)

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Pricing ($/Unit)

FDV304P

Active

SOT-23-3

318-08

260

REEL

3000

P-Channel

Single

-25

-8

-1.5

-0.46

0.35

1500

1100

1.1

$0.0771

FDV304P-F169

Last Shipments

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318-08

260

REEL

3000

P-Channel

Single

-25

-8

-1.5

-0.46

0.35

1500

1100

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