FQA11N90C-F109

パワー MOSFET、N チャネル、QFET®、900 V、11.0 A、1.1 Ω、TO-3P

Overview

この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、アクティブ力率補正 (PFC)、および電子ランプ・バラストに適しています。

アプリケーション

デスクトップPC
AC-DC商用パワーサプライ - デスクトップPC
Switched Mode Power Supplies
Active Power Factor Correction (PFC)
Electronic Lamp Ballasts

特長

11A、900V、R_DS(on) = 1.1Ω(最大) @V_GS = 10 V、I_D = 5.5A
少量のゲート電荷 (通常 60nC)
低C_rss (通常 23pF)
100%電子なだれテスト済み
RoHS対応

材料組成

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQA11N90C-F109

Last Shipments

TO-3P-3L

340BZ

TUBE

450

900

1100

N-Channel

Single

±30

300

2530

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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