FQA28N50

パワー MOSFET、N チャネル、QFET®、500 V、28.4 A、160 mΩ、TO-3P

Overview

これら N チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは、独自のプレーナ・ストライプ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、高効率スイッチ・モード電源、力率補正、ハーフ・ブリッジに基づく電子ランプ・バラストに最適です。

特長

28.4 A, 500 V, R_DS(on) = 160 mΩ (Max.) @ V_GS = 10 V, I_D = 14.2 A
Low Gate Charge (Typ. 110 nC)
Low Crss (Typ. 60 pF)
100% Avalanche Tested
RoHS compliant

材料組成

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQA28N50

Obsolete

TO-3P-3L

340BZ

TUBE

450

500

160

N-Channel

Single

28.4

310

110

4300

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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