100V P チャネル QFET® -22A、125mΩ

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Overview

これら P チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは独自のプレーナ・ストライプ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギー・パルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、オーディオ・アンプ、高効率スイッチング DC/DC コンバータ、DC モータ制御などの低電圧アプリケーションに最適です。

  • パワートレイン
  • -22A、-100V、RDS(on) = 0.125Ω @VGS = -10 V
  • 少量のゲート電荷(通常40 nC)
  • Crssが小さい(通常160 pF)
  • 高速スイッチング
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 改良されたdv/dt機能
  • 最大175°Cジャンクション温度定格
  • AEC Q101認定
  • RoHS に対応

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FQB22P10TM-F085

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

245

REEL

800

N

-100

125

P-Channel

Single

±30

-4

-22

125

-

-

-

40

1170

Price N/A

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