パワー MOSFET、P チャネル、QFET®、-60 V、-27 A、70 mΩ, D2PAK

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Overview

この P チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、独自のプレーナストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、オーディオアンプ、DCモーター制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。

  • LCD TV
  • PDP TV
  • LED TV
  • -27A、 -60V、 RDS(on) =70mΩ(最大) @VGS = -10 V、ID = -13.5A
  • 少量のゲート電荷 (通常 33nC)
  • 低Crss (通常 120pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 最大175℃の接合部温度定格

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FQB27P06TM

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CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

245

REEL

800

Y

-60

70

P-Channel

Single

±25

-4

-27

120

-

-

-

33

1100

$0.7592

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