FQB34P10

PチャネルQFET^® MOSFET -100V、-33.5A、60mΩ

Overview

このPチャンネル強化モードのパワーMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMO 技術を使って生産されています。この高度MOSFET技術はオン抵抗を低減し、優れたスイッチング性能と高い電子なだれエネルギー強度を提供するように設計されています。これらのデバイスはスイッチモードパワーサプライ、オーディオアンプ、DCモーターコントロール、可変スイッチング電源用途に適してます。

アプリケーション

AC-DC商用パワーサプライ - サーバー & ワークステーション
ワークステーション
サーバー&メインフレーム

最終製品

Solar / UPS
Audio / ATX
Ballast

特長

少量のゲート電荷 (通常 85nC)
100%電子なだれテスト済み
低C_rss (通常 170pF）
最大175℃の接合部温度定格
-33.5A、 -100V、 R_DS(on) = 60mΩ(最大) @V_GS = -10 V、 I_D = -16.75A

材料組成

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQB34P10TM

Active

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

245

REEL

800

-100

P-Channel

Single

±30

-4

-33.5

155

2240

$1.4069

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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