FQB4N80

N チャネル QFET® MOSFET 800V、3.9A、3.6Ω

Overview

この N チャネル・エンハンスメントモード・パワー MOSFET は、独自のプレーナストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、アクティブ力率補正 (PFC)、および電子ランプバラストに適しています。

アプリケーション

照明用

特長

3.9A、800V、R_DS(on) = 3.6Ω(最大) @V_GS = 10 V、I_D = 1.95A
少量のゲート電荷 (通常 19nC)
低C_rss (通常 8.6pF)
100%電子なだれテスト済み
RoHS対応

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQB4N80TM

Active

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

245

REEL

800

3600

N-Channel

Single

±30

3.9

130

680

$0.9821

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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