FQD3N60CTM-WS

パワー MOSFET、N チャネル、QFET®、600 V、2.4 A、3.4 Ω、DPAK

Overview

この N チャネル・エンハンスメント・モード・パワー MOSFET は独自のプレーナ・ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェ・エネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチ・モード電源、アクティブ力率補正 (PFC) 、および電子ランプ・バラストに適しています。

アプリケーション

照明用

特長

2.4A、600V、R_DS(on) = 3.4Ω(最大) @V_GS = 10 V、I_D = 1.2A
少量のゲート電荷 (通常 10.5nC)
低C_rss (通常 5pF)
100%電子なだれテスト済み

材料組成

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製品

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQD3N60CTM-WS

Last Shipments

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

260

REEL

2500

600

3400

N-Channel

Single

±30

2.4

10.5

435

Price N/A

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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