Power MOSFET、Pチャネル、QFET®、-100 V、-6.6 A、530 Ω、DPAK

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Overview

このPチャネル拡張モードPower MOSFETは独自のプレーナストライプおよびDMOS技術を使用して製造されています。この高度なMOSFET技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、オーディオアンプ、DCモーター制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。

  • LCD TV
  • LED TV
  • PDP TV
  • -6.6A、-100V、RDS(on) = 530mΩ (最大) @VGS = -10 V、ID = -3.3A
  • 少量のゲート電荷 (通常 12nC)
  • 低Crss (通常 30pF)
  • 100%電子なだれテスト済み

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状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FQD8P10TM

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CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

Y

-100

530

P-Channel

Single

±30

-4

-6.6

44

-

-

-

12

360

$0.2784

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