Power MOSFET、Nチャネル、QFET®、1000 V、8.0 A、1.45Ω、TO-247

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このNチャネル拡張モードPower MOSFETは独自のプレーナストライプおよびDMOS技術を使用して製造されています。この高度なMOSFET技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、アクティブ力率補正(PFC)、および電子ランプバラストに適しています。

  • その他の産業用
  • 8A、1000V、RDS(on) = 1.45Ω(最大) @VGS = 10 V、ID = 4A
  • 少量のゲート電荷 (通常 53nC)
  • 低Crss (通常 16pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS対応

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ECAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Configuration

V(BR)DSS Min (V)

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Pricing ($/Unit)

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FQH8N100C

Active

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

450

N

N-Channel

Single

1000

±30

5

8

225

-

-

1450

-

53

2475

$2.5577

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