FQH8N100C: Power MOSFET、Nチャネル、QFET®、1000 V、8.0 A、1.45Ω、TO-247

Datasheet: MOSFET – N-Channel, QFET® 1000 V, 8.0 A, 1.45 Ω
Rev. 3 (305kB)
製品概要
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このNチャネル拡張モードPower MOSFETは独自のプレーナストライプおよびDMOS技術を使用して製造されています。この高度なMOSFET技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、アクティブ力率補正(PFC)、および電子ランプバラストに適しています。
特長
 
  • 8A、1000V、RDS(on) = 1.45Ω(最大) @VGS = 10 V、ID = 4A
  • 少量のゲート電荷 (通常 53nC)
  • 低Crss (通常 16pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • RoHS対応
アプリケーション
  • その他の産業用
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
製品
状態
Compliance
内容
外形
MSL
梱包形態
予算 価格/Unit
タイプ
Case Outline
タイプ
Temperature
タイプ
数量
FQH8N100C Active
Pb-free
Halide free
FQH8N100C TO-247-3 340CK NA Tube 450 $2.3949
マーケットリードタイム(週) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FQH8N100C  
 $2.3949 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
1000
±30
5
8
225
-
-
1450
-
53
2475
TO-247-3
Case Outline
340CK   
Application
Diagram - Block
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