FQI7N60

NチャネルQFET^® MOSFET 600V、7.4A、1Ω

Overview

このNチャンネル強化モードのパワーMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMO 技術を使って生産されています。この高度MOSFET技術はオン抵抗を低減し、優れたスイッチング性能と高い電子なだれエネルギー強度を提供するように設計されています。これらのデバイスはスイッチモードパワーサプライ、アクティブな力率改善 (PFC)、電気ランプブラストに適しています。

アプリケーション

照明用

特長

7.4A、600V、R_DS(on) = 1.0Ω(最大)@V_GS = 10 V、I_D = 3.7A
少量のゲート電荷 (通常 29nC)
低C_rss (通常 16pF）
100%電子なだれテスト済み
RoHS対応

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQI7N60TU

Active

I2PAK-3 / D2PAK-3 STRAIGHT LEAD

418AV

TUBE

1000

600

1000

N-Channel

Single

±30

7.4

142

1100

$1.3245

製品番号:

代理店		Stock	BUY

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