FQP12P10

パワー MOSFET、P チャネル、QFET®、-100 V、-11.5 A、290 mΩ、TO-220

Overview

これら P チャネル・エンハンスメント・モード電界効果トランジスタは独自のプレーナ・ストライプ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギーパルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、オーディオ・アンプ、高効率スイッチング DC/DC コンバータ、DC モータ制御などの低電圧アプリケーションに最適です。

アプリケーション

Audio Amplifiers
DC/DC Converters
DC Motor Control

特長

-11.5 A、 -100 V、 R_DS(on)= 290 mΩ (最大) @ V_GS = -10 V、 I_D = -5.75 A
少量のゲート電荷 (通常 21 nC)
低Crss (通常 65 pF)
100%電子なだれテスト済み
175℃の最大接合部温度定格

材料組成

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FQP12P10

Last Shipments

TO-220-3

340AT

TUBE

1000

-100

290

P-Channel

Single

-4

-11.5

620

Price N/A

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