NチャネルQFET® MOSFET

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Overview

このNチャンネル強化モードのパワーMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMO 技術を使って生産されています。 この高度MOSFET技術はオン抵抗を低減し、優れたスイッチング性能と高い電子なだれエネルギー強度を提供するように設計されています。 これらのデバイスはスイッチモードパワーサプライ、アクティブな力率改善 (PFC)、電気ランプブラストに適しています。

  • This product is general usage and suitable for many different applications
  • 1.8 A、400 V、RDS(on) = 5.8 Ω (最大.) @ VGS = 10 V、ID = 0.9 A•
  • 少量のゲート電荷 (通常 4.0 nC)
  • 低Crss (通常 3.0 pF)
  • 高速スイッチング
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 改良されたdv/dt機能

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FQP2N40-F080

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

1000

N

400

5800

N-Channel

Single

5

5

1.8

40

-

-

4

4

115

Price N/A

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