パワー MOSFET、P チャネル、QFET®、-400 V、-2.0 A、6.5 Ω、TO-220

Favorite

Overview

これら P チャネル・エンハンスメントモード電界効果トランジスタは独自のプレーナ・ストライプ、DMOS 技術を使用して製造されています。特に、この高度な技術は、オン抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、アバランシェおよび転流モードでの高エネルギー・パルスに対応するよう構成されています。これらのデバイスは、相補型ハーフブリッジ構成に基づく電子ランプ・バラストに最適です。

  • Electronic Lamp Ballast based on Complimentary Half Bridge
  • -2.0 A、 -400 V、 RDS(on) = 6.5 Ω (最大) @ VGS = -10 V
  • 少量のゲート電荷 (通常 10 nC)
  • 低Crss (通常 6.5 pF)
  • 高速スイッチング
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 改良されたdv/dt機能

Product List

If you wish to buy products or product samples, please log in to your onsemi account.

検索

Close Search

製品:

1

共有

Product Groups:

Orderable Parts:

1

製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FQP2P40-F080

Loading...

Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

1000

N

-400

6500

P-Channel

Single

-5

-5

-2

63

-

-

-

10

270

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :