Power MOSFET、Pチャネル、QFET®、-60 V、-47A、26mΩ、TO-220

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Overview

このPチャネル拡張モードPower MOSFETはフェアチャイルド・セミコンダクター独自のプレーナストライプおよびDMOS技術を使用して製造されています。この高度なMOSFET技術は、オン抵抗を低減し、スイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を向上させるよう構成されています。これらのデバイスは、スイッチモード電源、オーディオアンプ、DCモーター制御、および可変スイッチング電源アプリケーションに適しています。

  • その他のオーディオ&ビデオ
  • -47A、-60V、RDS(on) = 26mΩ(最大) @VGS = -10 V、 ID = -23.5A
  • 少量のゲート電荷 (通常 84nC)
  • 低Crss (通常 320pF)
  • 100%電子なだれテスト済み
  • 最大175℃の接合部温度定格

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製品

状態

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FQP47P06

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

1000

Y

-60

26

P-Channel

Single

±25

-4

-47

160

-

-

-

84

2800

$1.3964

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